「電子実装ウィスカ防止技術フォーラム」

 開催報告

 
 

2010.3.5

電子実装ウィスカ防止技術フォーラム
ウィスカ防止技術が今後のエレクトロニクス製品を変える!

開催報告
 

 (社)電子情報技術産業協会

 
 当協会(JEITA)では、2006年7月に施行されたEU(欧州連合)のRoHS指令により電気・電子機器に対する特定有害物質の使用が制限されたことを機に、鉛フリー化の対策・検討を精力的に進めてきました。各企業におかれましても環境問題の対応の必要性から、鉛フリーはんだへの切り替えが進められています。今日の鉛フリー実装技術の普及に伴い、これまで鉛を加えることである程度抑制されていた錫ウィスカが、再び市場故障を増加させる深刻な問題として顕在化してきました。
 このウィスカ発生の問題を解決するために、JEITAでは、平成18年12月から平成21年11月までの3年間に亘り、独立行政法人中小企業基盤整備機構の戦略的基盤技術高度化支援事業として「電子実装の信頼性向上のためのウィスカ防止技術の開発」を実施してきました。この事業は、主にウィスカ発生メカニズムの解明、ウィスカ抑制技術・対策技術の確立、信頼性評価基準・評価技術の確立等を目指したものであり、ここで得られた最新の成果を広く公表し、関係各社においてご活用頂くことを目的に開催致しました。

 今回は、多くのJEITA非会員企業も含めて、総勢182名が参加されました。多くの企業が、ウィスカ発生を抑制する製品の開発、販売、プロセス開発など、今後の新たな事業化へ向けた取り組みに関心を持っていることが伺えます。

 

■名  称:実装技術ウィスカ防止技術フォーラム
■開催日時:2010年3月2日(火)10:00〜16:55
■開催場所:芝浦工業大学 豊洲キャンパス交流棟 大講義室
■主  催:電子実装の信頼向上のためのウィスカ防止技術の開発委員会
■担当部署:(社)電子情報技術産業協会 知的基盤部
技術戦略グループ
■参
者:182名

 Program 司会 山本 克己(社)電子情報技術産業協会  電子実装の信頼向上のためのウィスカ防止技術の開発委員会 副委員長

10:00〜10:05

開会の挨拶

長谷川 英一 
(社)電子情報技術産業協会 常務理事
 
 10:05〜10:10 来賓の挨拶

吉川 茂樹 氏
  独立行政法人 中小企業基盤整備機構 経営基盤支援部製造産業支援課長
 10:10〜10:20 戦略的基盤技術高度化支援事業/電子実装の信頼向上のためのウィスカ防止技術の開発

菅沼 克昭  電子実装の信頼性向上のためのウィスカ防止技術の開発委員会 委員長

 10:20〜10:50 研究成果@:めっき膜と界面の微細構造とウィスカ発生の関連

菅沼 克昭 氏  大阪大学 産業科学研究所産業科学ナノテクノロジーセンター長 教授

 10:50〜11:20 研究成果A:外圧によるウィスカ発生・成長評価

澁谷 忠弘 氏  横浜国立大学 大学院環境情報研究員人口環境と情報部門安全管理学分野 准教授

 11:20〜11:50 研究成果B:外部応力型及びはんだウィスカの発生メカニズム

大野 恭秀 氏  元東京大学 生産技術研究所研究員

 11:50〜12:20 研究成果C:すずウィスカ発生・成長の「その場観察」と微細組織解析

桑野 範之 氏  九州大学 産学連携センター先端機能材料領域 教授

昼   食

 13:30〜14:00 外部応力型ウィスカの抑制技術に対する検証結果

池部 克彦  外部応力型ウィスカ部会主査〔日本モレックス梶l

 14:00〜14:30 内部応力型ウィスカの抑制技術に対する検証結果

中村 真人  内部応力型ウィスカ部会主査〔鞄立製作所〕

 14:30〜15:00 溶接部ウィスカの抑制技術に対する検証結果

林  彰一  溶接部ウィスカWG主査〔日本ケミコン梶l

 休   憩

 15:15〜15:45 はんだウィスカの抑制技術に対する検証結果

津久井 勤  はんだウィスカ部会主査〔リサーチラボ・ツクイ〕

 15:45〜16:15 JEITA規格案「ウィスカ抑制鉛フリー材料選定ガイドライン」の紹介

西村 朝雄  ユーザー委員会委員長〔且タ装パートナーズ〕

 16:15〜16:35 はんだメーカのウィスカ防止事業に関する今後の取り組み

竹中 順一 氏  潟jホンゲンマ  技術部主任

 16:35〜16:55 メッキ試作機によるメッキ膜のウィスカ評価報告

小暮 聰 氏  ニシハラ理工 梶@

 

 

      

        菅沼委員長(大阪大学)                             会場の様子
 

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