読み方
あいじーびーてぃー
名称
IGBT
分類
部品
英訳その他
Insulated gate bipolar transistor
説明
バイポーラトランジスタのベースにFETを組み合わせた構造の素子。大電流を小信号の制御電圧でコントロール出来る利点がある。FETに比べスイッチング速度がやや遅いが、あまり高速度スイッチングを必要としないインバータに広く使用されている。
同義語
反対語
関連語
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