読み方 あいじーびーてぃー
名称 IGBT
分類 部品
英訳その他 Insulated gate bipolar transistor
説明 バイポーラトランジスタのベースにFETを組み合わせた構造の素子。大電流を小信号の制御電圧でコントロール出来る利点がある。FETに比べスイッチング速度がやや遅いが、あまり高速度スイッチングを必要としないインバータに広く使用されている。
同義語  
反対語  
関連語  

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